据《科创板日报》及多家韩媒报道，7月3日，半导体业内知情人士透露，全球存储巨头三星电子目前正在与下游客户展开新一轮价格谈判。其核心目标是，将今年第三季度DRAM（动态随机存取存储器）的平均售价（ASP）较上一季度最高提升20%。这一消息再次印证了在AI算力需求爆发的背景下，存储芯片市场正经历一场史无前例的涨价周期。

三星此次在价格谈判中展现出极为强硬的姿态，其底气来源于AI基础设施投资热潮带来的结构性供需失衡。随着全球科技巨头加速构建AI服务器，单台AI服务器的DRAM用量是传统服务器的8至10倍。为满足高带宽内存（HBM）的爆发式需求，三星等头部厂商将大量产能向HBM倾斜，直接导致通用DRAM及移动端LPDDR面临严重的供给瓶颈。目前，服务器与移动端均出现供给紧缺，三星计划对LPDDR的涨价幅度同样超过20%。

值得注意的是，尽管20%的涨幅依然惊人，但相较于三星今年第一季度约90%和第二季度50%至60%的暴涨，第三季度的涨价斜率已有所放缓。不过，市场普遍认为DRAM价格大概率将保持坚挺。为了应对持续的供应紧张，核心客户与内存厂商之间签订长期供货协议（LTA）的规模正在持续扩大。这些长协不仅锁定了购买量，还设定了保障高利润水平的价格下限，有效抑制了未来价格急剧下行的风险。

存储芯片的持续飙升正引发全产业链的连锁反应。在消费端，内存成本的暴涨已迫使苹果、小米等手机厂商上调新机售价，高端游戏整机成本上涨超万元，DIY装机成本大幅抬升；在汽车与工业领域，车规级DDR5现货涨幅超300%，导致整车制造成本增加，甚至引发医疗设备供应链断裂的预警。

与此同时，这场席卷全球的涨价风暴也演变为法律层面的博弈。6月25日，三星、SK海力士和美光三大巨头在美国加州联邦法院遭到集体诉讼。原告方指控这三家公司利用寡头垄断地位，以向HBM转型为借口，协同削减DDR3、DDR4等传统内存产能，人为制造“内存末日”式的供给短缺，导致商用DRAM价格在过去四年内暴涨约700%。

尽管面临诉讼压力，但在AI算力需求持续升温的支撑下，存储市场的卖方格局短期内难以逆转。正如业内分析人士所言，即便后续涨价幅度逐步收窄，存储厂商的高盈利水平也有望延续至明年。