2026年1月8日，三星电子发布2025年第四季度初步财务数据。数据显示，当季营业利润达20万亿韩元（约合965亿元人民币），同比增长208%，显著高于市场此前预期的17.8万亿韩元；营收为93万亿韩元，同比增长23%。公司表示，完整财报将于本月晚些时候公布，届时将披露净利润及各业务部门的具体业绩表现。

据彭博社报道，本轮业绩大幅增长主要源于全球人工智能服务器需求激增所推动的存储芯片价格快速上涨。为响应英伟达等AI芯片厂商及超大规模数据中心客户对高带宽内存（HBM）和企业级固态存储的需求，三星已将部分产能从传统消费类DRAM与NAND产品转向高端AI专用芯片生产。此举导致用于笔记本电脑和通用服务器的标准存储芯片供应趋紧，进而推高DRAM与NAND闪存市场价格。

CLSA韩国研究主管Sanjeev Rana指出，超大规模云服务商正积极采购DRAM，并愿意支付溢价以确保供应。他预计，当前的价格上行趋势将持续贯穿2026年全年，并可能延续至2027年上半年，主因在于需求强度远超现有产能扩张节奏。

在近期举行的CES 2026展会上，三星电子总裁李元镇（音译）亦确认了半导体供应紧张的现状，并表示该压力已传导至消费电子产品定价层面。市场研究机构Counterpoint Research预测，2026年第一季度DDR5内存模组价格将环比上涨40%，第二季度再涨20%。DDR5作为当前主流服务器与PC平台采用的新一代DRAM标准，其价格波动直接影响下游整机成本。

在高带宽存储（HBM）领域，三星此前市场份额落后于SK海力士与美光科技。但据公开信息，三星已于2025年向英伟达提交HBM4样品进行认证测试。若进展顺利，有望于2026年上半年实现量产，以适配英伟达即将推出的Rubin架构GPU。CLSA据此预测，三星2026年HBM出货量将达到2025年的三倍。

受业绩预期提振，三星股价在2025年累计涨幅达100%，并在2026年初继续上行。过去一周内，已有十余位分析师上调其目标价。分析普遍认为，AI驱动的存储芯片结构性短缺与价格强势，将成为支撑三星半导体业务盈利的核心因素，至少持续至2026年末。