中芯国际第二代FinFET工艺曝光新进展，7nm制程取得突破

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驱动中国2020年10月13日消息，近日，中芯国际第二代FinFET工艺曝光新进展。有报道称，IP和定制芯片企业芯动科技已完成全球首个基于中芯国际FinFET N+1工艺的芯片流片和测试，所有IP全自主国产，功能一次测试通过，其与现有的14nm工艺相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%，这也意味着国产版的7nm芯片制造技术已经得到突破。

据中芯国际联合CEO梁孟松透露，该工艺在功率和稳定性方面和7nm工艺非常相似，且不需要EUV光刻机，不过在性能方面提升还不够，所以N+1工艺是面向低功耗应用领域的。据悉，FinFET N+1已进入客户导入阶段，可望于2020年底小批量试产。