英特尔发布3D芯片技术

英特尔周三宣布，今年将会开始采用革命性的3D技术来生产芯片，号称是50多年来微处理器设计的最大突破。

英特尔表示，这项技术花了近10年研发，可望为将来的产业发展奠定基础。该公司说，下一代微处理器芯片将打破二维概念，而是从晶圆表面向上制造电芯体，可望延续摩尔定律。

据英特尔表示，转移至3D电芯体技术，带来的好处比单纯更新制程更多。举例来说，同样是低耗电的英特尔行动芯片，3D技术可提升运算效能37%;若效能维持不变，耗电则只有现有制程的一半左右。

主导英特尔制造技术研发的Mark Bohr也说，22奈米的“Tri-Gate”(三极)电芯体，在效能与节电方面的提升，是公司以往从未见过的。

理论上这样的进步，能够大幅提升智能手机和平板电脑的运算表现，这也是英特尔希望赶上ARM的重要市场。

英特尔通常会抢在同业之前发表微处理器新制程，实际上，该芯片大厂在2002年就开始探究Tri-Gate技术。

英特尔说，首款以22奈米Tri-Gate电芯体为基础的晶片「Ivy Bridge」，预计在今年底之前做好量产准备。