英特尔QWFET场效应管技术向立体型架构推进

为了做好应对更高级别制程节点的准备,Intel公司一直都在积极研制量子阱场效应管(QWFET)有关的技术，2008年，他们曾经首次展示过一款高速低功耗 型的QWFET场效应管，管子的p型沟道材料采用的是40nm制程的锑化铟 (InSb)，在0.5V电压下的截止频率可达140GHz。而09年他们也曾经展示过使用high-k绝缘层结构的QWFET，不过最近他们又在该课题上取得了一些新的成就。

为了解决平面型硅晶体管随着尺寸的微缩而面临的性能，功耗方面的瓶颈，科学家们一直在努力研究其它的晶体管技术，包括立体型晶体管(如Finfet/三门晶体管)以及III-V族材料制作的QWFET晶体管等技术。

据Intel本周在IDEM大会上发布的文件显示，Intel的科学家们在QWFET技术上又迈出了可喜的一步。这份文件中称：“本文首次展示了一种基于非平面型多栅设计立体晶体管结构，以及采用High-K栅绝缘层材料的 InGaAs QWFET，这种QWFET的栅极到漏/源极的间隔距离 (LSIDE)仅5nm。”

文件还写道："本立体型QWFET中采用的high-k栅绝缘层材料的等效栅极绝缘层厚度(TOXE)仅20.5埃(2.05nm),管子的节栅高度低，栅绝缘层界面属性好。而且立体型架构对漏源极的结构复杂程度要求也不高，同时还显著减小了寄生电阻。"

Intel还表示：“比较平面型设计的high-k InGaAs QWFET，在TOXE厚度一致的情况下，立体型多栅结构InGaAs QWFET栅极控制能力更为优秀。本文显示立体型多栅结构可有效提升低功耗逻辑用III-V族QWFET管子的尺寸缩微能力。 ”