华微电子不断突破自我，以创新谋发展

华微电子前身是成立于1965年的吉林省吉林市半导体厂，发展至今，这个曾经连像样的实验室和车间都没有的厂子，已经发展成为一家以生产研发功率半导体器件及功率集成电路为核心业务的国家级高新技术企业。

20世纪60年代初，吉林市半导体厂厂子成立，当时仅有的28名职工外出到北京等地学习硅整流二极管制造工艺。

华微电子党委书记王桂莲回忆起建厂初期的峥嵘岁月，不禁感慨万千：“当时，吉林市为了建半导体厂，把吉林市表厂迁走了，老楼没有进行装修。因为生产对洁净度要求较高，我们就在两个楼后面的一个澡堂子里成功试制出硅整流二极管。”而硅整流二极管的成功试制填补了吉林省晶体管生产的空白。

2001年3月16日，华微电子成功登陆上海证券交易所，成为了国内首家功率半导体器件领域的上市公司。

在过去的半个多世纪，华微电一直专注功率半导体全产业链发展，不断突破自我、开拓进取，同时承担了多项国家半导体技改项目。

目前，华微电子总资产已近61.1亿元、员工2000余人，还被认定为国家博士后科研工作站、国家创新型企业、国家企业技术中心、CNAS国家认可实验室，已经发展成为全国最具影响力的半导体IDM企业之一、我国功率半导体器件行业中的领军企业。

为了让企业保持核心竞争力，华微电子还通过自主创新、产学研合作、引进消化吸收等多种形式使产品技术不断升级迭代，以技术创新引领形成独特的核心竞争力。华微电子相关人员表示：“公司目前共有专利百余项，广泛应用于各系列产品设计开发及生产中，产品的部分性能已经优于国外公司的同类产品，达到了国内领先水平。”

最近几年，华微电子通过积极引进先进技术与标准，广泛开展产学研等技术交流与合作，建立技术研发与技术标准相结合的管理机制，注重先进技术的运用、消化和吸收，并逐步在FRD、IGBT、SBDVD-MOS等产品开发中推广运用，公司的技术实力也得到显著提高。其中，1350VTrenchIG-BT项目成功攻克深槽刻蚀与填充、高均匀性多晶回刻与刻蚀工艺、Ti/Tin淀积与RTP退火工艺等难题。TrenchIG-BT工艺平台的开发成功，让华微电子在功率器件研制开发方面的表现更为全面。

不仅如此，在新能源汽车双面散热模块，华微电子还实现功率模块双面散热超薄结构，缩小模块体积，提高模块功率密度和效率，降低功率损耗，适应未来电控系统轻量化要求，产品技术将达到同等国际标杆水平。与此同时，公司开发高压3300V～4500V的IGBT和FRD产品，实现超高压大功率器件的国产化。

相关负责人表示，华微电子重视研发创新，目前年均研发费用投资过亿元，研发支出占销售额的6%。