奇梦达DRAM内存准备迈向30nm
奇梦达今天公布了新的DRAM内存技术发展路线图，将制造工艺一直延伸到了30nm，届时的DRAM单元尺寸将只有4平方飞米(1飞米等于百万分之一纳米)。
奇梦达在现有的65nm工艺中提出了“Buried Wordline”技术，可生产出高性能、低功耗、小尺寸的内存芯片。根据路线图，奇梦达将使用该技术在2008年下半年投产1Gb DDR2内存芯片，进而在2009年下半年量产46nm工艺DRAM芯片。
不过，奇梦达并未透露何时能够将30nm工艺化为现实。
奇梦达总裁兼CEO罗建华评论说，在奇梦达历史上，这种技术带来的生产力改进和成本降低幅度是前所未有的，并且还让奇梦达有机会与更多伙伴进行深入合作。
为了改造现有生产线、装备Buried Wordline技术，奇梦达将在2009-2010财年期间一次性投入约1亿欧元，并希望完全使用公司的现金流来解决。
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