三星14nm工艺移动芯片测试成功 功耗将改善

三星14nm工艺移动芯片测试成功，该芯片会大大改善SoC芯片的漏电率和动态功耗。近日，三星方面宣布其与ARM签署了一项与14nm FinFET工艺技术和IP库相关的合作协议，并且还成功研发了一些基于14nm FinFET工艺的测试处理器芯片。不仅如此，三星还与合作伙伴共同完成了ARM Cortex-A7处理器、ARM big.LITTLE配置和SRAM芯片的研发测试工作。

三星14nm工艺移动芯片测试成功

三星称相比目前的32/28nm HKMG工艺，14nm FinFET工艺会进一步大大改善SoC芯片的漏电率和动态功耗，是未来发展的方向。我们可以这样理解，三星方面会在之后的处理器中采用ARM big.LITTLE处理技术和14nm工艺制程，这意味着三星未来的处理器将更加高效。

为了方便客户，三星还发布了工艺设计包PDK，允许他们开始基于14nm FinFET测试芯片设计模型或者展开其他产品设计工作。我们不怀疑三星在处理器方面的造诣，并希望它能给手机用户带来更便捷的操作体验！