台积电和ARM合作开发20nm以内制程工艺

昨日，半导体代工厂台积电和ARM达成一项多年期的合作协议，双方合作的范围将延续至20纳米制程以下。

ARM官方表示，双方技术合作的目的，是让ARM芯片可运用于FinFET (鳍式场效晶体管)上，让芯片设计商能继续拓展其在应用处理器上的优势。

ARM官方认为，双方的合作将能为ARMv8架构下的新一世代4位ARM处理器、ARM ArtisanR实体IP、以及台积电的FinFET制程技术进行优化，以便应用于要求高性能和节能兼备的移动便携市场以及企业市场。

据悉，借助这项技术合作方案，ARM将能以制程信息，设计效能、体积、功率的优化完整方案，降低风险。而台积电则能借助ARM的最新处理器和技术，为FinFET制程技术制定基准点并且优化。