Intel/三星/东芝三巨头开发10nm制程工艺
日经新闻报道，芯片制造业老大Intel将联手三星、东芝在2016年前将半导体制程工艺升级到近10nm级别。
三星和东芝目前也是世界前两大闪存芯片制造商，他们不久就会与Intel建立联盟，并邀请10家半导体材料和相关领域的的公司参与进来。
该研发项目预计需要大约100亿日元的启动资金，日本经济产业省很有可能为其50亿日元(6121万美元)，另外一半资金则需要联盟成员共同承担。
日经新闻称，三星和东芝将利用该技术生产10nm级NAND闪存芯片，而Intel则计划借此开发速度更快的微处理器。
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