创见推出高密度DRAM模块，2Gb的DDR3芯片

    创见资讯股份有限公司（创见®），在内存和存储产品的全球领导者，今天推出了三款新款4GB的DDR3内存模组采用高密度的2千兆位（2Gb的）的DDR3芯片：分别为DDR3 1333长的DIMM，在DDR3 1333的SO - DIMM和了DDR3 1066 SO - DIMM内存。
    创见4GB的240针的DDR3 - 1333长的DIMM用于台式机的运行速度和潜伏期的9-9-9 1333，而4GB的DDR3 - 1333的个SO - DIMM笔记本内存模块在1333MHz的经营，9-9-9延迟，并是4GB的DDR3 - 1066 SO - DIMM的运行速度与时序CL7 1066。每个模块进行了优化稳定1.5V的运作，并用高密度节能2Gb的芯片，使用户能够认真的最佳功率性能比他们的台式机或笔记本电脑上使用的优势。
    对尖端的高容量2Gb的DDR3芯片通过采用最新的40纳米级DRAM的制造工艺下，创见的新的DDR3模块可以有效地提高计算机总内存容量，同时降低功耗。这些高密度芯片，不仅带来增加容量和功率效率的好处，也有助于延长系统寿命 - 这是服务器硬件的关键因素。