台积电传考虑进军先进内存，或为英伟达规划3D DRAM
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驱动中国11月7日消息，台积电正考虑进入先进内存芯片制造领域，并已应英伟达要求规划生产3D DRAM，以拓展AI硬件供应链份额；该消息尚属市场传闻，台积电回应不评论传闻并强调专注晶圆代工核心业务。
驱动中国11月7日消息，台积电正考虑进入先进内存芯片制造领域，并已应最大客户英伟达要求，开始规划生产名为“3D DRAM”的先进内存芯片，以在快速扩张的AI硬件供应链中争取更大份额。
据科技媒体The Information消息，台积电近期已应其最大客户英伟达的要求，启动3D DRAM生产规划。该架构通过垂直堆叠存储单元提升容量，被视为满足AI算力对高带宽、高密度内存需求的关键方向之一。
目前，台积电尚未确定量产时间，也未最终决定产能来源。公司正在评估两条路径：一是兴建专用新厂，二是收购现有晶圆厂，并将其改造为内存生产设施。
如果这一动向落地，台积电将从长期专注的晶圆代工、逻辑芯片制造，延伸至三星电子、SK海力士和美光长期主导的存储芯片市场。对英伟达而言，若能获得更近的先进内存供应，也有助于缓解AI加速器所需高带宽内存的供应压力。
该消息仍属市场传闻。台积电回应称“不评论市场传闻或揣测”，并强调公司始终专注于晶圆代工核心业务；英伟达未回应置评请求。
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