长鑫科技：第六代DRAM工艺平台完成工程样片验证

驱动中国10月31日消息，长鑫科技在10月30日第三季度业绩交流会披露，公司第五代工艺技术平台已实现量产，第六代工艺技术平台在4F²垂直沟道DRAM架构取得关键突破的基础上完成工程样片验证，LPDDR6产品同步实现量产。

公告显示，第五代工艺技术平台是长鑫科技目前量产的最先进平台，已推出的产品主要为245Ball和496Ball封装的LPDDR5X。未来公司将基于该平台逐步升级现有产品线，包括DDR5、LPDDR6等，持续提升产品性能并丰富产品组合。

在4F²垂直沟道DRAM架构取得关键突破的基础上，长鑫科技第六代工艺技术平台已完成工程样片验证。公司目前基于第六代工艺平台开发的4F²架构，通过更紧凑的布局显著缩小存储单元面积、提高单位面积存储密度，为未来工艺技术平台迭代打下基础。

第五代工艺技术平台每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50%，在产品能效与成本控制上具备优势。这一进展主要源于第五代平台在关键工艺维度实现多项行业领先技术突破，进一步降低功耗、提升接口速度，为LPDDR6未来大规模量产和商业化应用提供技术平台支撑。

4F²架构是长鑫科技面向下一代前瞻技术的重要布局。时间节点上，公司预计今年年底将采用4F²架构的首代DDR5 RDIMM产品送样；应用方向上，将优先落地服务器等高附加值、对密度要求高的产品，后续逐步向其他品类延伸。规模量产将根据客户验证进度与市场需求情况稳步推进。

长鑫科技称，4F²架构采用逻辑晶圆和存储晶圆键合堆叠方式，在产品定义上具备更大灵活度。公司自研的VSG垂直环绕栅极晶体管采用垂直包围沟道结构，打通了后续节点继续微缩的道路。