三星将用台积电3纳米工艺为英伟达生产HBM基底裸片

驱动中国10月18日消息，据首尔经济日报消息，三星电子将采用台积电3纳米工艺，为英伟达生产下一代定制高带宽内存（HBM）NVHBM的基底裸片（base die）。这意味着三星此前对HBM核心裸片与基底裸片全部自主生产的模式，在面向英伟达的NVHBM产品上出现调整。

在此之前，三星供应的所有HBM产品中，作为存储芯片的核心裸片（core die）与充当系统半导体的基底裸片，均由三星自主生产。如今，三星决定接受英伟达的技术要求，调整HBM的一站式全包制造模式。

业内消息人士称，英伟达已向三星电子、SK海力士和美光三家NVHBM供应商提出要求，即使用台积电3纳米工艺制造基底裸片。英伟达同时要求，核心裸片统一采用代号1c的第六代DRAM工艺。NVHBM基于第七代下一代HBM标准HBM4E架构开发，是英伟达在8月发布的定制版高带宽内存。

英伟达提出上述要求的原因是，各家HBM供应商制造方案各不相同，难以基于同一套设计实现稳定一致的性能。标准化也有助于减轻针对每家供应商单独开展产品验证的工作量。负责三星晶圆代工业务的设备解决方案事业部（Device Solutions）经过内部评估，决定接受英伟达的要求。

对于标准HBM产品，三星仍会保留一站式全包生产策略。今年三星在全球范围内率先量产第六代HBM4，目前第七代HBM4E正在进行量产验证；这两款产品的基底裸片均采用三星自研4纳米代工工艺，核心裸片则在三星华城、平泽厂区的1c产线生产。

面向AMD等其他客户的定制HBM，三星计划继续沿用一站式全包生产方案。同时，三星也保留了在自家晶圆厂研发、生产NVHBM的可能性。业内人士称，三星正在验证能否在自有产线上制造NVHBM基底裸片，并将其作为防止NVHBM需求超出台积电产能上限的预案。