三星Galaxy S4八核版拆解

没想到芯片专家ChipWorks这么快就对Galaxy S4下手了，而且还是Exynos 5八核版本的，并非新意寥寥的骁龙600四核版。

Galaxy S4

拿掉后盖后可看到电池和主板

主板正面

主板背面

主板背面元件

三星自己的东西当然少不了，而且还都占据着核心地位，包括Exynos 5410 N5VA101应用处理器(在内存下边)、KMV3W000LM-B310 16GB NAND闪存、K3QF2F200C-XGCE 2GB DRAM内存、S2MPS11电源管理单元。

这个电源管理模块是首次见到，其它比较新的还有Intel PMB9820/PMB5745基带处理器、Synaptics S5000B触摸控制器、I274 U311(可能是Bosch BMP180或者STM 331压力传感器)。

其它还有：博通BCM2079 NFC通信芯片、两个Knowles S1039麦克风芯片、Silicon Image SI8240BO发射器、Skyworks SKY77615-11功率放大器、Murata SWC GKF48天线切换模块、Maxim MAX77803。

I274 U311

博通BCM2079

Knowles S1039×2

Exynos 5410八核处理器自然是我们最关心的，不过ChipWorks表示还在对这颗芯片进行深入观察，具体的内核照片将在稍候公布，现在只放出了内核外表面、金属层的照片，以及内核的局部，所以还看不到八个核心的具体情况。

该处理器基于ARM big.LITTLE架构设计，整合了四个Cortex-A15 1.8GHz核心与四个Cortex-A7 1.2GHz核心，拥有32/64位多层AHB/AXI总线、TrustZone安全模块、NEON SIMD引擎、双通道DDR2/LPDDR2/LPDDR3/DDR3L内存控制器、PowerVR SGX 544MP3 533MHz图形核心、三屏输出控制器，支持NAND、moviNAND、eSD 3.0、USB 3.0、eGPS、OpenGL ES 2.0、OpenCL、HDMI 1.4。

制造工艺是三星28nm LP，经过测量芯片面积为11.37×10.88＝123.7平方毫米，内核面积为11.28×10.73＝121.0平方毫米。

Exynos 5410

金属层

内核局部的标记

再来看看摄像头。后置主摄像头的主传感器是索尼IMX135背照式，1300万像素，OPPO Find 5 X909用的也是它。

后置摄像头

后置摄像头背面

索尼IMX135传感器内核局部照片

前置摄像头使用了三星自己的S5K6B2YX03 200万像素传感器，像素尺寸1.34微米。

前置摄像头

三星传感器内核局部照片