日媒消息，台积电2nm芯片技术外泄事件涉案三人已被检察机关起诉，检方分别提出14年、9年及7年有期徒刑的量刑建议，目前案件处于审理阶段。

据披露，主要嫌疑人陈某曾任职台积电工程师，离职后加入日本半导体设备企业TEL公司。检方指控其利用与台积电前同事的关联，多次获取涉及2纳米蚀刻站的机密文件及数据，并通过拍摄、复制方式提供给TEL公司以改进设备性能。涉案文件共12页，包含高度敏感的集成电路制造工艺信息。

据悉，陈某联络的台积电员工包括吴某、戈某等人，上述人员在台积电工作期间具备接触核心技术的权限。检方指控吴某获刑9年，戈某获刑7年，但未对另一涉案人员廖某提起诉讼。

台积电已将案件移交检察机关处理，并重申对技术泄露行为采取零容忍政策，承诺持续追究法律责任。